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STGWT40H65DFB
IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-3P, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWT40H65DFB
No. Parte Newark69AH2738
Rango de Producto650V HB
Hoja de datos técnicos
322 En Stock
¿Necesita más?
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302 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.820 |
| 10+ | $2.680 |
| 25+ | $2.400 |
| 60+ | $2.130 |
| 120+ | $1.940 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.82
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWT40H65DFB
No. Parte Newark69AH2738
Rango de Producto650V HB
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua80A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.6V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia283W
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorTO-3P
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto650V HB
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.6V
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
Diseño de Transistor
TO-3P
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
650V HB
Corriente del Colector Continua
80A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
283W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto