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STGWT80H65DFB
IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-3P, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWT80H65DFB
No. Parte Newark45AC7598
Rango de ProductoHB
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 10+ | $5.580 |
| 25+ | $5.120 |
| 60+ | $5.120 |
| 120+ | $4.730 |
| 270+ | $4.730 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWT80H65DFB
No. Parte Newark45AC7598
Rango de ProductoHB
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua120A
Corriente de Colector DC120A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.6V
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.6V
Disipación de Potencia Pd469W
Disipación de Potencia469W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo650V
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Diseño de TransistorTO-3P
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de ProductoHB
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
120A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.6V
Disipación de Potencia Pd
469W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
650V
Diseño de Transistor
TO-3P
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
HB
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corriente de Colector DC
120A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.6V
Disipación de Potencia
469W
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto