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GT30J65MRB,S1E(S
IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 Pines
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteGT30J65MRB,S1E(S
No. Parte Newark68AK5257
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua60
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.4
Disipación de Potencia200
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Diseño de TransistorTO-3P
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
60
Disipación de Potencia
200
Diseño de Transistor
TO-3P
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.4
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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