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WG40N65DFWQ
IGBT, 85 A, 1.5 V, 313 W, 650 V, TO-247, 3 Pines
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FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWG40N65DFWQ
No. Parte Newark69AK5282
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWG40N65DFWQ
No. Parte Newark69AK5282
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua85A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.5V
Disipación de Potencia313W
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
85A
Disipación de Potencia
313W
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.5V
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto