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IGP30N60H3XKSA1
IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-220, 3 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGP30N60H3XKSA1
No. Parte Newark13T9413
También conocido comoIGP30N60H3, SP000702546
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGP30N60H3XKSA1
No. Parte Newark13T9413
También conocido comoIGP30N60H3, SP000702546
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua30A
Corriente de Colector DC30A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2.4V
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.4V
Disipación de Potencia Pd187W
Disipación de Potencia187W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo600V
Voltaje Máx. Colector a Emisor600V
Diseño de TransistorTO-220
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IGP30N60H3 es un IGBT de alta velocidad en trinchera y tecnología de parada de campo. El dispositivo de alta velocidad se utiliza para reducir el tamaño de los componentes activos (25 a 70 kHz). La familia de alta velocidad 3 de Infineon ofrece el mejor compromiso entre las pérdidas de conmutación y conducción. La característica clave de esta familia es un comportamiento de conmutación de apagado tipo MOSFET, que conduce a bajas pérdidas de apagado.
- Diseñado específicamente para reemplazar MOSFET planas en aplicaciones que cambian a frecuencias inferiores a 70 kHz
- Pérdidas de conmutación bajas para alta eficiencia
- Comportamiento de cambio rápido con bajas emisiones de EMI
- Diodo optimizado para aplicaciones de destino, lo que significa una mejora adicional en las pérdidas de conmutación
- Es posible la selección de resistencia de puerta baja (hasta 5) manteniendo un excelente comportamiento de conmutación
- Capacidad de cortocircuito
- Excelente desempeño
- Pérdidas bajas de conmutación y conducción.
- Muy buen comportamiento EMI
- Pequeña resistencia de compuerta para un tiempo de retardo reducido y sobretensión de voltaje
- La mejor eficiencia IGBT de su clase y comportamiento EMI
- Empaquetado con y sin diodo de rueda libre para mayor libertad de diseño
- Producto verde
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
30A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2.4V
Disipación de Potencia Pd
187W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
600V
Diseño de Transistor
TO-220
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corriente de Colector DC
30A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.4V
Disipación de Potencia
187W
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600V
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IGP30N60H3XKSA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto