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IXBX50N360HV
IGBT, 125 A, 2.4 V, 660 W, 3.6 kV, TO-247PLUS-HV, 3 Pines
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXBX50N360HV
No. Parte Newark29AK0380
Rango de ProductoBiMOSFET Series
Hoja de datos técnicos
379 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXBX50N360HV
No. Parte Newark29AK0380
Rango de ProductoBiMOSFET Series
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua125
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.4
Disipación de Potencia660
Voltaje Máx. Colector a Emisor3.6
Diseño de TransistorTO-247PLUS-HV
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de ProductoBiMOSFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
High voltage, high frequency BiMOSFET™ monolithic Bipolar MOS transistor suitable for use in switched-mode and resonant-mode power supplies, Uninterruptible power supplies (UPS), laser generator, capacitor discharge circuit applications.
- High blocking voltage
- High voltage package
- Low conduction losses
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
125
Disipación de Potencia
660
Diseño de Transistor
TO-247PLUS-HV
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
BiMOSFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.4
Voltaje Máx. Colector a Emisor
3.6
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto