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FGH60N60SMD
IGBT, Propósito General, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pines
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFGH60N60SMD
No. Parte Newark41T0516
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua120A
Corriente de Colector DC120A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.9V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.9V
Disipación de Potencia600W
Disipación de Potencia Pd600W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo600V
Voltaje Máx. Colector a Emisor600V
Diseño de TransistorTO-247AB
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FGH60N60SMD es un IGBT de parada de campo con capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación.
- Conmutación rápida
- Temperatura máxima de unión 175°C.
- Apretar la distribución de parámetros
- Alta impedancia de entrada
- Coeficiente de temperatura positivo para un funcionamiento paralelo fácil
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
120A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.9V
Disipación de Potencia
600W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
600V
Diseño de Transistor
TO-247AB
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Corriente de Colector DC
120A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.9V
Disipación de Potencia Pd
600W
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600V
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FGH60N60SMD
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto