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STGWT40HP65FB
IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-3P, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWT40HP65FB
No. Parte Newark26AH0173
Rango de ProductoHB
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.580 |
| 10+ | $1.950 |
| 25+ | $1.830 |
| 60+ | $1.710 |
| 120+ | $1.590 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWT40HP65FB
No. Parte Newark26AH0173
Rango de ProductoHB
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua80
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.6
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia283
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Diseño de TransistorTO-3P
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de ProductoHB
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.6
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Diseño de Transistor
TO-3P
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
HB
Corriente del Colector Continua
80
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
283
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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