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STGWT80V60DF
IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-3P, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWT80V60DF
No. Parte Newark98Y2475
Rango de ProductoV
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.750 |
| 10+ | $4.410 |
| 25+ | $4.020 |
| 50+ | $3.840 |
| 100+ | $3.670 |
| 250+ | $3.600 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWT80V60DF
No. Parte Newark98Y2475
Rango de ProductoV
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua120
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.85
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia469
Voltaje Máx. Colector a Emisor600
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorTO-3P
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de ProductoV
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.85
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600
Diseño de Transistor
TO-3P
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
V
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corriente del Colector Continua
120
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
469
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto